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什么栅极,源极,漏极?

场效应管MOSFET 栅极(gate electrode)gate,门的意思,中文翻译做栅,栅栏.electrode,电极. 源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极.起集电作用的电极. 漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极.起发射作用的电极. 三个名字是从英文而来的.

场效应管中的源极和漏极可以互用也就是电源脚!栅极就是接地的意思

漏极 相当于发射极 源极 相当于集电极 栅极 相当于控制极

栅极(Gate);漏极(Drain);源极(Source).场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FETJFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

场效应管的漏极,相当于晶体三极管的集电极.源极相当于发射剂.栅极相当于基极.

测具体方法:将万用调在R*1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值.当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S,余下的电极是栅极G.也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任

对的 这个管子电流好大

栅极相当于晶体管的基极,源极相当于晶体管的射极,漏极相当于集电极,你可以连电路试一下就知道了

功率放大器使用场效应管的时候,控制电流的引脚为栅极G,被控制的电流从漏极D流过源极S.栅源极间有很小的电压变化,漏源极就会有很大的电流变化,这样一来电流或电压的变化情况就被放大了.

场效应管源极电位比栅极电位高(约0.4V).场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

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